Studi Fabrikasi Isolator Silikon Dioksida (SiO2) Berbasis Lapisan Tipis Menggunakan Teknik Plasma Glow Discharge (Halaman 32 s.d. 35)

Abstract

Telah dilakukan penelitian tentang pengaruh parameter plasma oksidasi pada proses pembentukan lapisan tipis isolator silikon dioksida (SiO₂) dengan plasma lucutan pijar. Lapisan yang terbentuk  dikarakterisasi sifat elektriknya menggunakan probe empat titik (FPP), sifat struktur mikro, komposisi kimia, maupun pengukuran ketebalan lapisan tipis menggunakan Scanning Electron Microscope (SEM) yang dikopel dengan Energy Dispersive X-Rays Spectroscopy(EDX). Agar proses pembentukan lapisan tipis lebih cepat, silikon harus dietsa/dicuci dengan larutan etsa. Akan tetapi etsa ini berdampak mengubah silikon yang awalnya tipe P menjadi N. Lapisan isolator terbentuk pada temperatur sekitar 500⁰C, dengan waktu proses hingga 5 jam, yang ditandai dengan resistivitas irisannya E30 (∞) (tahanan tidak terukur). Indikasi terbentuknya lapisan oksida juga diperkuat dari analisis struktur mikro maupun analisis komposisi kimia. Pada kondisi P=1,4 mbar, V=1026 volt, I=725 mA, T= 502 °C, t=5 jam kandungan  Si = 46,74 mass% dan O= 53,26 mass%.  Pada  kondisi tersebut ketebalan lapisan oksida sekitar 0,4 µm