* Corresponding Author
Analisa Pergeseran Magnetic Domain Wall Pada Lapisan Tipis Free Layer CoFeB Untuk Sistem Spin-Valve Tunneling Magneto-Resistance (TMR) Sensor
https://doi.org/10.22146/jfi.24407 Galih Setyawan(1*), Edi Suharyadi(2)
(1) Jurusan Fisika, Fakultas MIPA, Universitas Gadjah Mada, Yogyakarta, Indonesia Sekip Utara PO BOX BLS. 21 Yogyakarta 55281, Indonesia
(2) Jurusan Fisika, Fakultas MIPA, Universitas Gadjah Mada, Yogyakarta, Indonesia Sekip Utara PO BOX BLS. 21 Yogyakarta 55281, Indonesia
(*) Corresponding Author
Abstract
Telah dilakukan analisa pergeseran magnetic domain wall pada lapisan tipis free layer CoFeB untuk sistem spin-valve Tunneling Magneto-Resistance (TMR). Analisa telah dilakukan dengan menggunakan software Object Oriented Micromagnetic Framework (OOMMF) berdasarkan persamaan Landau-Lifshitz Gilbert (LLG). Analisa pergeseran magnetic domain wall pada CoFeB yang mempunyai ukuran luas 120x100 nm2 dengan variasi ketebalan 1 dan 4 nm. Dari simulasi didapatkan hasil analisa pergeseran magnetic domain wall, histeresis loop dan energi dari sistem ferromagnetik (energy exchange dan demagnetisasi). Pada medan eksternal 299,9 Oersted CoFeB dengan ketebalan 1 nm nilai Mx/Ms adalah 0,99 dan pada ketebalan 4 nm nilai Mx/Ms adalah 0.93. Energi demagnetisasi mempunyai pola naik dengan bertambahnya medan luar dan energi exchange menurun dengan bertambahnya medan luar.
Full Text:
PDF DOI: https://doi.org/10.22146/jfi.24407
Article Metrics
Abstract views : 1812
| 
views : 1679
Refbacks
- There are currently no refbacks.
Copyright (c) 2014 Galih Setyawan, Edi Suharyadi
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.
JFI Editorial Office
Departement of Physics, Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Universitas Gadjah Mada
Sekip Utara PO BOX BLS 21, 55281, Yogyakarta, Indonesia
JFI is indexed by:
Jurnal Fisika Indonesia, its website and the articles published are licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.